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参数资料
| 型号： | MCP1406T-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 6A HS 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 6A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MCP1406T-E/SNTR |
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MCP1406/07
DC CHARACTERISTICS (OVER OPERATING TEMPERATURE RANGE)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, operating temperature range with 4.5V ??? V DD ??? 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input
Logic ‘ 1 ’, High Input Voltage
Logic ‘ 0 ’, Low Input Voltage
V IH
V IL
2.4
—
—
—
—
0.8
V
V
Input Current
Input Voltage
I IN
V IN
–10
-5
—
—
+10
V DD +0.3
μA
V
0V ??? V IN ??? V DD
Output
High Output Voltage
Low Output Voltage
Output Resistance, High
Output Resistance, Low
V OH
V OL
R OH
R OL
V DD – 0.025
—
—
—
—
—
3.0
2.3
—
0.025
5.0
5.0
V
V
?
?
DC TEST
DC TEST
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
Switching Time ( Note 1 )
Rise Time
t R
—
25
40
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
C L = 2500 pF
Fall Time
t F
—
25
40
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
C L = 2500 pF
Delay Time
Delay Time
t D1
t D2
—
—
50
50
65
65
ns
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2
Figure 4-1 , Figure 4-2
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Power Supply Current
I S
—
200
500
μA
V IN = 3V
Note 1:
—
Switching times ensured by design.
50
150
V IN = 0V
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, all parameters apply with 4.5V ? V DD ? 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
T A
T J
T A
–40
—
–65
—
—
—
+125
+150
+150
°C
°C
°C
Package Thermal Resistances
Thermal Resistance, 8L-6x5 DFN
? JA
—
33.2
—
°C/W
Typical four-layer board with
vias to ground plane
Thermal Resistance, 8L-PDIP
Thermal Resistance, 8L-SOIC
Thermal Resistance, 5L-TO-220
? JA
? JA
? JA
—
—
—
125
155
71
—
—
—
°C/W
°C/W
°C/W
? 2006-2012 Microchip Technology Inc.
DS22019B-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP1407T-E/SN | IC MOSFET DRIVER 6A HS 8SOIC |
| EEC22DREH-S13 | CONN EDGECARD 44POS .100 EXTEND |
| TC1413NEPA | IC MOSFET DVR 3A HS 8DIP |
| RBC06DRYI | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
| TC4426VMF | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP1407 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed Power MOSFET Drivers |
| MCP1407-E/AT | 功能描述:功率驱动器IC 6A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP1407-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 6A Sngl MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP1407-E/P | 功能描述:功率驱动器IC 4.5A Dual MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP1407-E/PA | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:6A High-Speed Power MOSFET Drivers |
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