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参数资料
| 型号： | MCP14E10-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 10/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
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MCP14E9/10/11
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
V DD = 18V
V HI
V LO
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
V DD = 12V
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-19:
Temperature.
1.8
Input Threshold vs.
FIGURE 2-22:
Temperature.
1.E-06
Enable Hysteresis vs.
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
V HI
V LO
1.E-07
1.E-08
1.E-09
4
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage(V)
FIGURE 2-20:
Voltage.
Input Threshold vs. Supply
Note:
The values in this graph represent the
loss seen by both drivers in a package
during a complete cycle.
1.8
1.7
1.6
V EN_H
For a single driver, divide the stated
value by 2.
For a single transition of a single driver,
divide the stated value by 4.
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
V EN_L
FIGURE 2-23:
Supply Voltage.
Crossover Energy vs.
-40 -25 -10
FIGURE 2-21:
Temeprature.
DS25005A-page 10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Enable Threshold vs.
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC08DCMH-S288 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| RB-243.3D/H | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-3.3VOUT |
| RBC08DCMD-S288 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| RBC08DRTS-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| GEC06DRTF-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E10T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E10T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E10T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E11 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E11-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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