- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17235 > MCP14E10-E/MF (Microchip Technology)IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP14E10-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 2/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
MCP14E9/10/11
Package Types
MCP14E10
MCP14E10
PDIP, SOIC
MCP14E9
MCP14E11
6x5 DFN*
MCP14E9
MCP14E11
ENB_A 1
8 ENB_B ENB_B
ENB_B
ENB_A 1
8 ENB_B ENB_B
ENB_B
IN A 2
GND 3
IN B 4
7 OUT A
6 V DD
5 OUT B
OUT A
V DD
OUT B
OUT A
V DD
OUT B
IN A 2
GND 3
IN B 4
EP
9
7 OUT A
6 V DD
5 OUT B
OUT A
V DD
OUT B
OUT A
V DD
OUT B
* Includes Exposed Thermal Pad (EP); see Table 3-1 .
Functional Block Diagram (1)
V DD
Internal
Pull-up
Enable
Inverting
Non-Inverting
V DD
Output
Input
4.7V
Effective
Input C = 20 pF
(Each Input)
GND
4.7V
MCP14E9 Dual Inverting
MCP14E10 Dual Non-Inverting
MCP14E11 One Inverting, One Non-Inverting
Note 1:
Unused inputs should be grounded.
DS25005A-page 2
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC08DCMH-S288 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| RB-243.3D/H | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-3.3VOUT |
| RBC08DCMD-S288 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| RBC08DRTS-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| GEC06DRTF-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E10T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E10T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E10T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E11 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E11-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。