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参数资料
| 型号： | MCP14E10-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 3A 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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MCP14E9/10/11
DC CHARACTERISTICS (OVER OPERATING TEMP. RANGE) (2) (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Enable Function (ENB_A, ENB_B)
High-Level Input Voltage
Low-Level Input Voltage
Hysteresis
Enable Pull-up Impedance
Propagation Delay Time
Propagation Delay Time
V EN_H
V EN_L
V HYST
R ENBL
t D3
t D4
2.4
—
—
0.7
—
—
—
—
0.4
1.6
60
70
—
0.8
—
3.0
80
85
V
V
V
M Ω
ns
ns
V DD = 12V, Low-to-High Transition
V DD = 12V, High-to-Low Transition
V DD = 14V,
ENB_A = ENB_B = GND
Figure 4-3
Figure 4-3
Power Supply
Supply Voltage
V DD
4.5
—
18.0
V
Supply Current
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
I DD
—
—
—
—
—
—
—
—
1400
800
1300
1300
800
500
600
600
2200
1100
2000
2000
1200
600
900
900
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = High
V IN_A = 3V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 0V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 3V, V IN_B = 0V,
ENB_A = ENB_B = Low
V IN_A = 0V, V IN_B = 3V,
ENB_A = ENB_B = Low
Note 1:
2:
Switching times are ensured by design.
Tested during characterization, not production tested.
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, all parameters apply with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
T A
T J
T A
-40
—
-65
—
—
—
+125
+150
+150
°C
°C
°C
Package Thermal Resistances
Thermal Resistance, 8L-6x5 DFN
Thermal Resistance, 8L-PDIP
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θ JA
θ JA
θ JA
—
—
—
35.7
89.3
149.5
—
—
—
°C/W
°C/W
°C/W
Typical four-layer board with
vias to ground plane
? 2011 Microchip Technology Inc.
DS25005A-page 5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP14E11-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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