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参数资料
| 型号： | MCP14E10-E/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 3A 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 45ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
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MCP14E9/10/11
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
110
100
90
80
t D1
80
75
70
65
60
V DD = 12V
t D1
70
60
50
40
30
t D2
55
50
45
40
35
30
t D2
4
6
8
10
12
14
16
18
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Supply Voltage (V)
Temperature (°C)
FIGURE 2-7:
Supply Voltage.
Propagation Delay Time vs.
FIGURE 2-10:
Temperature.
Propagation Delay Time vs.
0.65
0.60
1.0
0.9
V DD = 18V
Input = 1
0.55
0.50
0.45
Input = 1
0.8
0.7
0.6
0.40
0.5
Input = 0
0.35
0.30
Input = 0
0.4
0.3
4
6
8
10
12
14
16
18
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Supply Voltage (V)
Temperature (°C)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
Quiescent Current vs.
FIGURE 2-11:
Temperature.
Quiescent Current vs.
9
8
T A = +125°C
V IN = 0V (MCP14E9)
V IN = 5V (MCP14E10)
10
9
T A = +125°C
V IN = 5V (MCP14E9)
V IN = 0V (MCP14E10)
7
6
5
8
7
6
4
3
2
1
T A = +25°C
5
4
3
2
T A = +25°C
4
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
FIGURE 2-9:
Output Resistance (Output
FIGURE 2-12:
Output Resistance (Output
High) vs. Supply Voltage.
DS25005A-page 8
Low) vs. Supply Voltage.
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP1403-E/MF | IC MOSFET DVR 4.5A DUAL 8DFN |
| LM4040D30QDBZRG4 | IC VREF SHUNT PREC 3V SOT-23-3 |
| MCP14E9-E/P | IC MOSFET DRIVER 3A 8PDIP |
| 35653 | CABLE TIE NON-STR D-RING 3/4X18" |
| MCP14E6-E/MF | IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP14E10T | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E10T-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E10T-E/SN | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MCP14E11 | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable |
| MCP14E11-E/MF | 功能描述:功率驱动器IC 2A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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