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参数资料
| 型号： | MCP4262T-503E/UN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RHEOSTAT 50K 2CH 10MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | WiperLock™ |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 50k |
| 电路数： | 2 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MCP4262T-503-E/UN MCP4262T-503-E/UNTR MCP4262T-503-E/UNTR-ND MCP4262T-503E/UNTR |
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MCP414X/416X/424X/426X
DS22059B-page 12
2008 Microchip Technology Inc.
FIGURE 1-2:
SPI Timing Waveform (Mode = 00).
TABLE 1-2:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 00)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
10
—
ns
74
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ—
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
82
SDO data output valid after
CS Active (VIL or VIHH)
TssL2doV
—
70
ns
83
CS Inactive (VIH) after SCK↓ edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1:
This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
82
SDI
74
75, 76
MSb
BIT6 - - - - - -1
LSb
77
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
80
83
84
73
VIH
VIL
VIHH
VIH
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PDF描述 |
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