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参数资料
| 型号： | MCP4461T-103E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 38/100页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 257TAPS 10K 20QFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 接片： | 257 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 4 |
| 温度系数： | 标准值 150 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | I²C（设备位址） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 20-QFN 裸露焊盘（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页当前第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页
MCP444X/446X
DS22265A-page 42
2010 Microchip Technology Inc.
4.2
Memory Map
The device memory has 16 locations that are 9-bit wide
(16x9 bits). This memory space contains both volatile
and nonvolatile locations (see Table 4-1).
TABLE 4-1:
MEMORY MAP AND THE SUPPORTED COMMANDS
Address
Function
Memory
Type
Allowed Commands
Disallowed Commands (2)
Factory
Initialization
00h
Volatile Wiper 0
RAM
Read, Write,
Increment, Decrement
—
01h
Volatile Wiper 1
RAM
Read, Write,
Increment, Decrement
—
02h
Nonvolatile Wiper 0
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
8-bit
80h
7-bit
40h
03h
Nonvolatile Wiper 1
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
8-bit
80h
7-bit
40h
04h
Volatile
TCON0 Register
RAM
Read, Write
Increment, Decrement
—
05h
Status Register
RAM
Read
Write, Increment, Decrement
—
06h
Volatile Wiper 2
RAM
Read, Write,
Increment, Decrement
—
07h
Volatile Wiper 3
RAM
Read, Write,
Increment, Decrement
—
08h
Nonvolatile Wiper 2
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
8-bit
80h
7-bit
40h
09h
Nonvolatile Wiper 3
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
8-bit
80h
7-bit
40h
0Ah
Volatile
TCON1 Register
RAM
Read, Write
Increment, Decrement
—
0Bh
Data EEPROM
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
000h
0Ch
Data EEPROM
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
000h
0Dh
Data EEPROM
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
000h
0Eh
Data EEPROM
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
000h
0Fh
Data EEPROM
EEPROM
Read, Write (1)
Increment, Decrement
000h
Note 1:
When an EEPROM write is active, these are invalid commands and will generate an error condition. The
user should use a read of the Status register to determine when the write cycle has completed. To exit the
error condition, the user must take the HVC pin to the VIH level and then back to the active state (VIL or
VIHH).
2:
This command on this address will generate an error condition. To exit the error condition, the user must
take the HVC pin to the VIH level and then back to the active state (VIL or VIHH).
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MCP4461T-104E/ML | 功能描述:数字电位计 IC 100k I2C Qd Ch 8bit Nonvolatile memory RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel |
| MCP4461T-104E/ST | 功能描述:数字电位计 IC 100k I2C Qd Ch 8bit Nonvolatile memory RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel |
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| MCP4461T-502E/ST | 功能描述:数字电位计 IC 5k I2C Qd Ch 8bit Nonvolatile memory RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 电阻:200 Ohms 温度系数:35 PPM / C 容差:25 % POT 数量:Dual 每 POT 分接头:256 弧刷存储器:Volatile 缓冲刷: 数字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 电源电流:27 uA 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFN-16 封装:Reel |
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