参数资料
| 型号： | MCP6023-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 34/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 2.5V R-R I/O 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 7 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 679 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MCP6023I/SN |
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MCP6021/1R/2/3/4
DS21685D-page 4
2009 Microchip Technology Inc.
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MCP6023 CHIP SELECT (CS) ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, RL =10kΩ to VDD/2 and CL = 60 pF.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Power Supply
Supply Voltage
VDD
2.5
—
5.5
V
Quiescent Current per Amplifier
IQ
0.5
1.0
1.35
mA
IO = 0
AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
10
—
MHz
Phase Margin
PM
—
65
—
°
G = +1 V/V
Settling Time, 0.2%
tSETTLE
—
250
—
ns
G = +1 V/V, VOUT = 100 mVp-p
Slew Rate
SR
—
7.0
—
V/s
Total Harmonic Distortion Plus Noise
f = 1 kHz, G = +1 V/V
THD+N
—
0.00053
—
%
VOUT = 0.25V to 3.25V (1.75V ± 1.50VPK),
VDD = 5.0V, BW = 22 kHz
f = 1 kHz, G = +1 V/V, RL = 600Ω
THD+N
—
0.00064
—
%
VOUT = 0.25V to 3.25V (1.75V ± 1.50VPK),
VDD = 5.0V, BW = 22 kHz
f = 1 kHz, G = +1 V/V
THD+N
—
0.0014
—
%
VOUT = 4VP-P, VDD = 5.0V, BW = 22 kHz
f = 1 kHz, G = +10 V/V
THD+N
—
0.0009
—
%
VOUT = 4VP-P, VDD = 5.0V, BW = 22 kHz
f = 1 kHz, G = +100 V/V
THD+N
—
0.005
—
%
VOUT = 4VP-P, VDD = 5.0V, BW = 22 kHz
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—
2.9
—
Vp-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—8.7
—
nV/
√Hz f = 10 kHz
Input Noise Current Density
ini
—3
—
fA/
√Hz f = 1 kHz
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, RL =10kΩ to VDD/2 and CL = 60 pF.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2 VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
-1.0
0.01
—
A
CS = VSS
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8 VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—
0.01
2.0
A
CS = VDD
GND Current
ISS
-2
-0.05
—
A
CS = VDD
Amplifier Output Leakage
IO(LEAK)
—0.01—
A
CS = VDD
CS Dynamic Specifications
CS Low to Amplifier Output Turn-on Time
tON
—
2
10
s
G = +1, VIN = VSS,
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.45VDD time
CS High to Amplifier Output High-Z Time
tOFF
—
0.01
—
s
G = +1, VIN = VSS,
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.05VDD time
Hysteresis
VHYST
—0.6
—
V
VDD = 5.0V, Internal Switch
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MCP6023T-E/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
| MCP6023T-E/OT | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:Rail-to-Rail Input/Output, 10 MHz Op Amps |
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