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参数资料
| 型号： | MCP651ST-E/OT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP RRO 50MHZ SOT23-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | mCal 技术 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 30 V/µs |
| 增益带宽积： | 50MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 200µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MCP651ST-E/OTDKR |
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MCP651/1S/2/3/4/5/9
DS22146C-page 20
2009-2011 Microchip Technology Inc.
Note: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM =VDD/3, VOUT =VDD/2,
VL =VDD/2, RL =1 kto VL, CL = 20 pF, and CAL/CS =VSS.
FIGURE 2-50:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-51:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Power Supply Voltage (V)
N
eg
at
iv
e
Po
w
er
Su
ppl
y
Cu
rr
en
t;
I
SS
(A
)
CAL/CS = VDD
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
0.00.5 1.01.5 2.02.5 3.0 3.5 4.04.5 5.05.5 6.0
Output Voltage (V)
O
u
tput
Lea
kage
C
u
rr
ent
(A
)
+25°C
+125°C
+85°C
CAL/CS = VDD = 5.5V
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