- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录6189 > MCP651ST-E/OT (Microchip Technology)IC OPAMP GP RRO 50MHZ SOT23-5 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MCP651ST-E/OT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/66页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP RRO 50MHZ SOT23-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | mCal 技术 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 30 V/µs |
| 增益带宽积： | 50MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 200µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MCP651ST-E/OTDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页
2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS22146C-page 3
MCP651/1S/2/3/4/5/9
1.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.1
Absolute Maximum Ratings
VDD –VSS .......................................................................6.5V
Current at Input Pins ....................................................±2 mA
Analog Inputs (VIN+ and VIN–) . VSS – 1.0V to VDD +1.0V
All other Inputs and Outputs .......... VSS – 0.3V to VDD +0.3V
Difference Input voltage ...................................... |VDD –VSS|
Output Short Circuit Current ................................ Continuous
Current at Output and Supply Pins ..........................±150 mA
Storage Temperature ...................................-65°C to +150°C
Max. Junction Temperature ........................................ +150°C
ESD protection on all pins (HBM, MM)
1 kV, 200V
Notice: Stresses above those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent damage to the
device. This is a stress rating only and functional operation of
the device at those or any other conditions above those
indicated in the operational listings of this specification is not
implied. Exposure to maximum rating conditions for extended
periods may affect device reliability.
1.2
Specifications
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3,
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input Offset
Input Offset Voltage
VOS
-200
—
+200
V
After calibration (Note 1)
Input Offset Voltage Trim Step
VOSTRM
—
37
200
V
Input Offset Voltage Drift
VOS/TA
—±2.5
—
V/°C TA= -40°C to +125°C
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
61
76
—
dB
Input Current and Impedance
Input Bias Current
IB
—6
—
pA
Across Temperature
IB
—
130
—
pA
TA= +85°C
Across Temperature
IB
—
1700
5,000
pA
TA= +125°C
Input Offset Current
IOS
—±1
—
pA
Common Mode Input Impedance
ZCM
—1013||9
—
||pF
Differential Input Impedance
ZDIFF
—1013||2
—
||pF
Common Mode
Common Mode Input Voltage Range
VCMR
VSS 0.3
—
VDD 1.3
V
Common Mode Rejection Ratio
CMRR
65
81
—
dB
VDD = 2.5V, VCM = -0.3 to 1.2V
CMRR
68
84
—
dB
VDD = 5.5V, VCM = -0.3 to 4.2V
Open-Loop Gain
DC Open-Loop Gain (large signal)
AOL
88
114
—
dB
VDD = 2.5V, VOUT = 0.3V to 2.2V
AOL
94
123
—
dB
VDD = 5.5V, VOUT = 0.3V to 5.2V
Output
Maximum Output Voltage Swing
VOL, VOH
VSS +25
—
VDD 25
mV
VDD = 2.5V, G = +2,
0.5V Input Overdrive
VOL, VOH
VSS +50
—
VDD 50
mV
VDD = 5.5V, G = +2,
0.5V Input Overdrive
Output Short Circuit Current
ISC
±50
±95
±145
mA
ISC
±50
±100
±150
mA
Note 1:
Describes the offset (under the specified conditions) right after power-up, or just after the CAL/CS pin is toggled. Thus,
2:
See Figure 2-6 and Figure 2-7 for temperature effects.
3:
The ISC specifications are for design guidance only; they are not tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQT-104-01-F-S-RA | CONN RCPT 2MM 4POS R/A |
| 76314-203LF | CONN RCPT 2X3POS VERT .100 |
| 956210-2720-AR-TP | CONN SOCKET 10POS 2MM VERT SMD |
| 956210-2020-AR-TP | CONN SOCKET 10POS 2MM VERT SMD |
| LPPB032NFSS-RC | CONN HEADER .050" 6PS DL SMD AU |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP651T-E/MNY | 功能描述:运算放大器 - 运放 Single 50MHz OP mCal E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP651T-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl 50MHz OP Auto-cal E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP652-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 50MHz OP Auto-cal E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP652-E/SN | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 50MHz OP Auto-cal E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MCP652T-E/MF | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual 50MHz OP Auto-cal E temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。