参数资料
型号: MCP6561RT-E/OT
厂商: Microchip Technology
文件页数: 12/14页
文件大小: 0K
描述: IC COMP PUSH-PULL 1.8V SOT23-5
产品培训模块: MCP656x
标准包装: 1
类型: 通用
元件数: 1
输出类型: CMOS,推挽式,满摆幅,TTL
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 5.5 V
电压 - 输入偏移(最小值): 10mV @ 5.5V
电流 - 输入偏压(最小值): 1pA @ 5.5V
电流 - 输出(标准): 50mA
电流 - 静态(最大值): 130µA
CMRR, PSRR(标准): 66dB CMRR,70dB PSRR
传输延迟(最大): 80ns
磁滞: 5mV
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
安装类型: 表面贴装
包装: 标准包装
产品目录页面: 681 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MCP6561RT-E/OTDKR
2009 Microchip Technology Inc.
DS22139B-page 7
MCP6561/1R/1U/2/4
Note: Unless otherwise indicated, VDD = +1.8V to +5.5V, VSS = GND, TA = +25°C, VIN+ = VDD/2, VIN– = GND,
RL = 10 kΩ to VDD/2, and CL = 25 pF.
FIGURE 2-13:
Input Offset Voltage vs.
Supply Voltage vs. Temperature.
FIGURE 2-14:
Quiescent Current.
FIGURE 2-15:
Quiescent Current vs.
Common-mode Input Voltage.
FIGURE 2-16:
Input Hysteresis Voltage vs.
Supply Voltage vs. Temperature.
FIGURE 2-17:
Quiescent Current vs.
Supply Voltage vs Temperature.
FIGURE 2-18:
Quiescent Current vs.
Common-mode Input Voltage.
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V
DD (V)
V
OS
(m
V
)
TA= -40°C
TA= +85°C
TA= +25°C
TA= +125°C
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60
70
80
90
100
110
120
130
I
Q (A)
Oc
cu
rr
e
n
c
es
(
%
)
VDD = 5.5V
Avg. = 97 A
StDev= 4 A
1794 units
VDD = 1.8V
Avg. = 88 A
StDev= 4 A
1794 units
60
70
80
90
100
110
120
130
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CM (V)
I Q
(
A)
VDD = 1.8V
Sweep VIN+ ,VIN- = VDD/2
Sweep VIN- ,VIN+ =
V
/2
Sweep VIN+ ,VIN- = VDD/2
Sweep VIN- ,VIN+ = VDD/2
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V
DD (V)
V
H
YST
(m
V
)
TA= +85°C
TA= +125°C
TA= +25°C
TA= -40°C
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
140.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DD (V)
I Q
(
A)
TA= -40°C
TA= +25°C
TA= +85°C
TA= +125°C
60
70
80
90
100
110
120
130
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
CM (V)
I Q
(
A)
VDD = 5.5V
Sweep VIN+ ,VIN- = VDD/2
Sweep VIN- ,VIN+ = VDD/2
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