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参数资料
型号： MCP6V27T-E/SN
厂商： Microchip Technology
文件页数： 47/50页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC
标准包装： 3,300
放大器类型： 自动调零
电路数： 2
输出类型： 满摆幅
转换速率： 1 V/µs
增益带宽积： 2MHz
电流 - 输入偏压： 7pA
电压 - 输入偏移： 2µV
电流 - 电源： 620µA
电流 - 输出 / 通道： 22mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.3 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOICN
包装： 带卷 (TR)
MCP6V26/7/8
DS25007B-page 6
2011 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.3V to +5.5V, VSS = GND,
VCM = VDD/3, VOUT =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kW to VL, CL = 60 pF, and CS = GND (refer to Figure 1-5 and
Figure 1-6).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Pull-Down Resistor (MCP6V28)
CS Pull-Down Resistor
RPD
35
—
M
Ω
CS Low Specifications (MCP6V28)
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.3VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
—5
—
pA
CS = VSS
CS High Specifications (MCP6V28)
CS Logic Threshold, High
VIH
0.7VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—VDD/RPD
—pA
CS = VDD
CS Input High,
GND Current per amplifier
ISS
—-0.4
—
A
CS = VDD, VDD = 2.3V
ISS
—-1
—
A
CS = VDD, VDD = 5.5V
Amplifier Output Leakage,
CS High
IO_LEAK
—20
—
pA
CS = VDD
CS Dynamic Specifications (MCP6V28)
CS Low to Amplifier Output On
Turn-on Time
tON
—4
50
s
CS Low = VSS+0.3 V, G = +1 V/V,
VOUT = 0.9 VDD/2
CS High to Amplifier Output
High-Z
tOFF
—1
—
s
CS High = VDD – 0.3 V, G = +1 V/V,
VOUT = 0.1 VDD/2
Internal Hysteresis
VHYST
—0.2
—
V
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, all limits are specified for: VDD = +2.3V to +5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
(Note 1)
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 8L-4x4 DFN
θJA
—48
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 8L-MSOP
θJA
—211
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θJA
—
150
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-2x3 TDFN
θJA
—53
—
°C/W (Note 2)
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
2:
Measured on a standard JC51-7, four layer printed circuit board with ground plane and vias.
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PDF描述
MCP6V31UT-E/LT IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5
ME50101VX-000U-A99 FAN BRUSHLESS 12VDC 50X50X10MM
MIC6211BM5 TR IC OP AMP GEN PURPOSE SOT23-5
MIC7111BM5 TR IC OPAMP R-R I/O 1.8V SOT23-5
MIC7122BMM IC OPAMP R-R DUAL 8-MSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
MCP6V28-E/MS 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl, Auto-0 Op Amp w/ Chip Select,E Tmp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6V28-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl, Auto-0 Op Amp w/ Chip Select,E Tmp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6V28T-E/MNY 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl, Auto-0 Op Amp w/ Chip Select,E Tmp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6V28T-E/MS 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl, Auto-0 Op Amp w/ Chip Select,E Tmp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MCP6V28T-E/SN 功能描述:运算放大器 - 运放 Sngl, Auto-0 Op Amp w/ Chip Select,E Tmp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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