参数资料
型号: MCT3D65P100F2
厂商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分类: MOS Controlled Thyristor
英文描述: 85 A, 1000 V, P-CH MOS CONTROLLED THYRISTOR
封装: PLASTIC PACKAGE-5
文件页数: 1/8页
文件大小: 201K
代理商: MCT3D65P100F2
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PDF描述
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参数描述
MCT4 功能描述:晶体管输出光电耦合器 TO-18 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MCT-4 功能描述:TERM BARRIER 4CIRC DUAL ROW RoHS:是 类别:连接器,互连式 >> 接线座 - 隔板块 系列:M 标准包装:1 系列:43000 端接块类型:阻隔块 电路数:27 导线入口数目:27 间距:0.438"(11.12mm) 行数:1 电流:20A 电压:600V 线规:12-22 AWG 顶部端子:螺钉 底部端子:闭合式 阻挡层类型:双壁(双) 特点:- 颜色:- 包装:散装 安装类型:底座安装或面板安装 工作温度:105°C 材料 - 绝缘体:聚丙烯(PP) 材料可燃性额定值:UL94 V-0
MCT4_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 TO-18 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
MCT-47 制造商:MOLEX 制造商全称:Molex Electronics Ltd. 功能描述:VibraKrimpa?¢ Quick Disconnect, Male, for 14-16 (2.00-1.30) Wire, Box, Tab 4.75mm(.187") x 0.51mm (.020")
MCT4R 功能描述:光电晶体管 TO-18 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1