参数资料
| 型号： | MDC3105DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDUCTVE LOAD DRIVR 8V SC74-6 |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 继电/负载驱动器 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 400mA |
| 电流 - 峰值输出： | 500mA |
| 电源电压： | 6V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MDC3105DMT1OSCT |
MDC3105
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
(OFF CHARACTERISTICS)
10,000 k
1000 k
V CC = 5.5 Vdc
V in = 0.5 Vdc
100 k
10 k
T J = 25 ° C
V in = 0.5 Vdc
100 k
1.0 k
10 k
V in = 0.35 Vdc
1.0 k
100
100
10
V in = 0.35 Vdc
10
1.0
V in = 0 Vdc
1.0
0
V in = 0 Vdc
-55
-35
-15 5.0
25
45
65
85
0
1.0
2.0 3.0
4.0 5.0
6.0
7.0
1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. Output Leakage Current versus
Temperature
V CC , SUPPLY VOLTAGE (Vdc)
Figure 9. Output Leakage Current versus
Supply Voltage
R CE(sat)
I out(max) = 500 mA
° PW = 10 ms
DC = 20%
° PW = 7.0 ms
DC = 5%
*34 ms
*24 ms
T A = 25 ° C
° = TRANSISTOR P C THERMAL LIMIT
* = MAX L/R FROM ZENER PULSED ENERGY LIMIT
(REFER TO FIGURE 11)
° CONTINUOUS DUTY
° PW = 0.1 s
DC = 50%
*90 ms
0.1
*232 ms
*375 ms
0.01
V CC(max) = +6.0 Vdc
TYPICAL
I Z vs V Z
0.1
1.0
V out (VOLTS)
Figure 10. Safe Operating Area for MDC3105LT1
http://onsemi.com
6
10
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MDC3105LT1 | 功能描述:功率驱动器IC 6.6V Inductive Load RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MDC3105LT1G | 功能描述:功率驱动器IC 6.6V Inductive Load Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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