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参数资料
| 型号： | MDD142-12N1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | HIgh Power Diode Modules |
| 中文描述： | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | MDD142-12N1 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 3
MDD 142
Fig. 1 Surge overload current
I
FSM
: Crest value, t: duration
Fig. 2 i
2
dt versus time (1-10 ms)
Fig. 2a Maximum forward current
at case temperature
Fig. 3
Power dissipation versus
forward current and ambient
temperature (per diode)
Fig. 4 Single phase rectifier bridge:
Power dissipation versus direct
output current and ambient
temperature
R = resistive load
L = inductive load
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD142-14N1 | HIgh Power Diode Modules |
| MDD142-16N1 | HIgh Power Diode Modules |
| MDD142-18N1 | HIgh Power Diode Modules |
| MDD172 | High Power Diode Modules |
| MDD172-08N1 | High Power Diode Modules |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MDD142-14N1 | 功能描述:分立半导体模块 142 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD142-16N1 | 功能描述:分立半导体模块 142 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD142-18N1 | 功能描述:分立半导体模块 142 Amps 1800V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MDD172 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Power Diode Modules |
| MDD172-08N1 | 功能描述:分立半导体模块 172 Amps 800V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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