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参数资料
| 型号： | MDI300-12A4 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | 330 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | MDI300-12A4 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
MII 300-12 A4
MID 300-12 A4
MDI 300-12 A4
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
(BR)CES
V
GE
= 0 V
1200
V
V
GE(th)
I
C
= 8 mA, V
CE
= V
GE
4.5
6.5
V
I
CES
V
CE
= V
CES
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
13 mA
20
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
800
nA
V
CE(sat)
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
2.2
2.7
V
C
ies
C
oes
C
res
13
nF
nF
nF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
2
1
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
100
60
600
90
32
29
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thJS
0.09 K/W
with heatsink compound
0.18
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V,
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125 C
2.2
1.7
2.5
2.3
V
V
I
F
T
C
= 25 C
T
C
= 80 C
450
280
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 1800 A/ s
T
J
= 125 C, V
R
= 600 V
180
200
A
ns
R
thJC
R
thJS
0.15 K/W
with heatsink compound
0.3
K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= 200 A, V
= ±15 V
V
CE
= 600 V, R
G
= 3.3
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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