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参数资料
| 型号： | MDI300-12A4 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT Modules |
| 中文描述： | 330 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | MDI300-12A4 |
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
100
200
300
400
500
0
20
40
60
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0
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mJ
0
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ns
0
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100
0
80
160
240
320
400
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.3
W
T
J
= 125
°
C
300-12
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 200A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
100
200
300
400
500
A
R
G
= 3.3
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.3
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 200A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
mJ
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
mJ
E
on
E
off
ns
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
MII 300-12 A4
MID 300-12 A4
MDI 300-12 A4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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