参数资料
型号: MDS400
元件分类: 功率晶体管
英文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封装: 55KT, 2 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 25K
代理商: MDS400
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MDS400
400 Watts Pk, 45 Volts, 32
s, 2%
Avionics 1030-1090 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The MDS400 is a COMMON BASE transistor capable of providing 400 Watts
Peak, Pulsed, RF Output Power over the band 1030-1090 MHz. The transistor
includes double input prematching for full broadband capability. Gold
Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and
supreme ruggedness.
CASE OUTLINE
55KT, STYLE 1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25 C
1450 Watts
o
Maximum Voltage and Current
BVces
Collector to Emiter Voltage
55 Volts
BVebo Collector to Base Voltage
4.0 Volts
Ic
Collector Current
40 Amps
Maximum Temperatures
Storage Temperature
-40 to + 200
C
Operating Junction Temperature
+ 200
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 C
O
SYMBOL
CHARACTERISTICS
TEST
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Po
Pin
Pg
h
VSWR
1
Power Out
Power Input
Power Gain
Efficiency
Load Mismatch Tolerance
F =1030/1090 MHz
Vcc=45Volts
Pulse Width = 32
s
Duty Factor = 2 %
At Rated Power
400
6.5
35
90
10:1
Watts
dB
%
BVces
BVebo
H
fe
R
θjc
Collector to Emitter Breakdown
Emitter to Base Breakdown
Current Gain
Thermal Resistance
Ic = 50 mA
Ie = 30 mA
Vce = 5 V, Ic = 1 A
Tc = 25 C
o
55
3.5
10
0.12
Volts
C/W
o
Issue September 22, 1995
相关PDF资料
PDF描述
MDS550L L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
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MF-10KDS-R13-0-70 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
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