- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95927 > MDV04-600RL (STMICROELECTRONICS) 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MDV04-600RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | MDV04-600RL |
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Ip(A)
PF(av)(W)
Fig. 1: Power dissipation versus peak forward cur-
rent (triangular waveform,
δ=0.5).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
t(s)
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (epoxy
printed circuit board, e(Cu)=35
m), recommended
pad layout).
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 3: Forward voltage drop versus forward cur-
rent (maximum values).
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
dIF/dt(A/s)
trr(ns)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
Fig. 4: Reverse recovery time versus dIF/dt.
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
5
10
15
20
VFP(V)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt.
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
50
100
150
200
250
300
350
tfr(ns)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
Vfr=1.5V
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Forward recovery time versus dIF/dt.
MDV04-600
3/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ME4565 | POWER, FET |
| ME4565 | 4.9 A, 40 V, 0.04 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MF-10KDS-R13-0-70 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MF-10KDS-R13-0-61 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MF-10KDS-R13-0-60 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MDV-066 | 制造商:On-Shore Technology Inc 功能描述:CONN, MINI DIN JACK, 6 POS |
| MDV1 | 制造商:FUSTRN 功能描述: |
| MDV-1 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
| MDV-1/10 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
| MDV-1/100 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。