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参数资料
| 型号： | MG100Q1JS40 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-108A4A, 5 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | MG100Q1JS40 |
MG100Q1JS40
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG100Q1JS40
High Power Switching Applications
Chopper Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5s (max)
trr = 0.5s (max)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Reverse voltage
VR
1200
V
DC
IC
100
Collector current
1ms
ICP
200
A
DC
IF
100
Forward current
1ms
IFM
200
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
670
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 min.)
V
Screw torque (Terminal / mounting)
―
3 / 3
Nm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-108A4A
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG100Q2YS40 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100Q2YS50A | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG120V2YS40 | 120 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150J1ZS50 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG100Q1ZS40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG100Q1ZS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG100Q2Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. |
| MG100Q2YK1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG100Q2YL1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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