参数资料
型号: MG300Q1US41
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 2-109A4A, 4 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 389K
代理商: MG300Q1US41
MG300Q1US41
2001-04-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q1US41
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5s (Max.)
trr = 0.5s (Max.)
Low saturation voltage : VCE(sat) = 4.0V (Max.)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
300
Collector current
1ms
ICP
600
A
DC
IF
300
Forward current
1ms
IFM
600
A
Collector power dissipation (Tc = 25°C)
PC
2000
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 ~ 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Screw torque (Terminal : M4 / M6 / mounting)
2 / 3 / 3
Nm
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
2-109A4A
Weight: 465g
Unit: mm
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