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参数资料
| 型号： | MG300Q1US41 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109A4A, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | MG300Q1US41 |
MG300Q1US41
2001-04-16
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG300Q1US51 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300Q1US51 | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300Q2YS40 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG300Q2YS60A | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG30G6EL2 | 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG300Q1US42 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG300Q1US51 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG300Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:Toshiba 功能描述:_ |
| MG300Q2YS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG300Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 300A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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