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参数资料
| 型号： | MG300Q2YS61 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109C4A, 7 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MG300Q2YS61 |
MG300Q2YS61
2002-08-29
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS61
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed: tf = 0.3 s (max)
Inductive load
Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.6 V (max)
Enhancement-mode
Includes a complete half bridge in one package.
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Tc
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
Collector current
DC (Tc
= 80°C)
IC
300
A
Forward current
DC (Tc
= 80°C)
IF
300
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
2700
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
Visol
2500
(AC 1 minute)
Vrms
Terminal
3
Nm
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109C4A
Weight: 430 g (typ.)
G1
E1
E1/C2
C1
E2
G2
E2
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PDF描述 |
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