参数资料
型号: MG400J2YS60A
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 2-123C1B, 11 PIN
文件页数: 8/9页
文件大小: 373K
代理商: MG400J2YS60A
MG400J2YS60A
2002-09-06
8
Co
lle
ct
o
rcu
rr
e
n
t
I C
(A
)
Forward current
IF (A)
Irr, trr – IF
Reve
rs
e
re
c
o
ve
ry
tim
e
t
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(ns
)
Reve
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n
t
I rr
(A
)
Forward current
IF (A)
Edsw – IF
Reve
rs
e
re
c
o
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lo
ss
E
ds
w
(
m
J
)
Collector-emitter voltage
VCE (V)
C – VCE
C
apa
ci
ta
nce
C
(
p
F)
Collector-emitter voltage
VCE (V)
Reverse bias SOA
Pulse width
tw (s)
Rth – tw
R
th
(j
-c)
(
°C
/W
)
10
0
200
400
100
1000
100
300
trr
Irr
Common cathode
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
0.1
0
200
400
1
10
100
300
Common cathode
VCC = 300 V
RG = 7.5
Tj = 25°C
VGE = ±15 V
Tj = 125°C
100
0.01
0.1
1
10
1000
10000
100000
Cies
Coes
Cres
100
1000000
10
0
100
1000
200
400
600
Tj <
= 125°C
RG = 7.5
VGE = ±15 V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Diode stage
Transistor stage
Tc
= 25°C
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