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参数资料
| 型号： | MG400Q1US65H |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | MG400Q1US65H |
MG400Q1US65H
2003-12-19
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG400Q1US65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
400
Collector current
1 ms
ICP
800
A
DC
IF
400
Forward current
1 ms
IFM
800
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
2650
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G (B)
E
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG400V1US51A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50H2YS1 | 50 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50J1BS11 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG400Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 400A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG400V1US51A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
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| MG-4074 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| MG41 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:CHAIR COLLAPSIBLE DURACELL |
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