参数资料
型号: MG400Q1US65H
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: 2-109F1A, 4 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 195K
代理商: MG400Q1US65H
PAGE . 2
REV.0.0-JUL.9.2008
MMBT3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
R
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n
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W
10K
W
0
-0 .5 V
300 ns
-10.9V
+3V
D elay and R ise Tim e Equivalent Test C ircuit
< 1ns
C * < 4pF
S
Storage and Fall Tim e Equivalent Test Circuit
0
+9 .1V
10 to 500us
Duty Cycle ~ 2.0%
- 1 0.9V
< 1ns
0
1N 916
+3V
275
W
10K
W
C * < 4pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
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MG400V2YS60A 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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MG50J1BS11 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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参数描述
MG400Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 400A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MG400V1US51A 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG400V2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1700V 400A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MG-4074 制造商:TE Connectivity 功能描述:
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