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参数资料
| 型号： | MG400Q1US65H |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | MG400Q1US65H |
PAGE . 3
REV.0.0-JUL.9.2008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, -I
C (mA)
hF
E
V
CE = 1V
T
J = 100 C
T
J = 25 C
T
J = 150 C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current,
-I
C (m A)
-V
BE
(V
)
T
J = 100 C
T
J = 25 C
T
J = 150 C
V
CE = 1V
0.100
1.000
0.01
0.1
1
10
100
Collector Current, -I
C (mA)
-V
B
E
(s
a
t)
(V
T
J = 100
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
0.01
0.10
1.00
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, -I
C (mA)
-V
C
E
(s
a
t)
(V)
T
J = 25
T
J = 150
I
C/IB = 10
1
10
-0.1
-1
-10
-100
Reverse Voltage, V R (V)
C
a
p
a
ci
tance
(
pF
)
CIB (EB)
COB (CB)
Fig. 1. Typical hFE vs. Collector Current
Fig. 2. Typical VBE vs. Collector Current
Fig. 3. Typical VCE (sat) vs. Collector Current
Fig. 4. Typical VBE (sat) vs. Collector Current
Fig. 5. Typical Capacitances vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG400V1US51A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50H2YS1 | 50 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50J1BS11 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MG400V2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1700V 400A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG-4074 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| MG41 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:CHAIR COLLAPSIBLE DURACELL |
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