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参数资料
| 型号： | MG400Q1US51 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 520 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | MG400Q1US51 |
PAGE . 3
May 10.2010-REV.00
MMBT3904W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
Fig. 3. Typical V
vs. Collector Current
CE (sat)
Fig. 3. Typical V
vs. Collector Current
CE (sat)
Fig. 1. Typical h
vs. Collector Current
FE
Fig. 1. Typical h
vs. Collector Current
FE
Fig. 5. Typical Capacitances vs. Reverse Voltage
Fig. 2. Typical VBE vs. Collector Current
Collector Current, I (mA)
C
Collector Current, I (mA)
C
Collector Current, I (mA)
C
1.000
0.100
0.010
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1.0
10
100
1.400
1.200
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
1.0
0.1
V
(sat)(mV)
CE
V(
V
)
BE
(sat)
V(
V
)
BE
Reverse Voltage, V (V)
R
Capacitance
(pF)
C(CB)
OB
C
(EB)
IB
T =100 C
J
o
T=25 C
J
o
T =150 C
J
o
T =150 C
J
o
I/
C
I=10
B
T=25 C
J
o
T =150 C
J
o
I/
C
I=10
B
h
FE
Collector Current, I (mA)
C
300
250
200
150
100
50
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
h
FE
T =100 C
J
o
T =100 C
J
o
T=25 C
J
o
T=25 C
J
o
T =150 C
J
o
T =150 C
J
o
V=1V
CE
V=1V
CE
Fig. 4. Typical V
vs Collector Current
BE(sat)
Fig. 4. Typical Vvs Collector Current
BE(sat)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG400Q1US65H | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG400V2YS60A | 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50H2YS1 | 50 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG400Q1US51(AC) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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| MG400V2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1700V 400A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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