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参数资料
| 型号： | MG600J2YS61A |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-123C1B, 11 PIN |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | MG600J2YS61A |
MG600J2YS61A
2003-08-21
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600J2YS61A(600V/600A 2in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Integrates a complete half bridge power circuit and fault-signal output circuit in one package.
(short circuit and over temperature)
The electrodes are isolated from case.
Low thermal resistance
VCE (sat) = 2.2 V (typ.)
Equivalent Circuit
Signal terminal
1.
G (L)
2.
FO (L)
3.
E (L)
4.
VD
5.
G (H)
6.
FO (H)
7.
E (H)
8.
Open
5
6
7
1
2
3
E1/C2
Ｃ
1
E2
FO
OT
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MG600Q1US51 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG600Q1US61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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