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参数资料
| 型号： | MG800J1US51 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | MG800J1US51 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG8N6ES1 | 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MGF0905A-01 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| MGF0906B-01 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| MGF1412-11-09 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGF1412-11-08 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG800J1US52A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG800J2YS50A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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