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参数资料
| 型号： | MGDT100100 |
| 厂商： | HIREL SYSTEMS LTD |
| 元件分类： | 脉冲/数据通信变压器 |
| 英文描述： | PULSE TRANSFORMER FOR MOSFET GATE DRIVE APPLICATION(S) |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | MGDT100100 |
Date code 0229
Miniaturized Gate Drive Transformers
Useful
Transfer
Drive
Magnetizing
Leakage
DC Resistance2
Capacitance
Package Freq. Range
Ratio1
Excitation Inductance 2,3 Inductance 4
Drive
Gates Drive-Gate Gate-Gate
HiRel P/N
Style
(KHz)
(+/-3%)
(VmS MAX)
(mH MIN)
(nH MAX)
(W MAX) (W MAX) (pF MAX)
(pF MAX)
MGDT100 100
TH
100 ~ 500
1 : 1 : 1
80
240
500
0.50
15
10
Parameter
Conditions
Limit(s)
Units
Drive-gate; 1 min
3750
VAC
Dielectric Withstand Voltage
Gate-gate; 1 min
2500
VAC
Total Power Dissipation5
TA = 25C
2.0
W
Operating Temperature
Continuous
-40 ~ +85
C
Storage Temperature
Continuous
-40 ~ +105
C
1. Drive : Gate : Gate.
2. TA = 25°C.
3. 100mV @ 100KHz across the Drive winding with all Gates open.
4. 100mA @ 100KHz into the Drive winding with all Gates shorted.
5. Derate at 33.3mW / C above 25C.
Units are inches [mm].
Tolerance on all dimensions is +/-0.010 unless otherwise specified.
Specifications are subject to change without notice.
Absolute Maximum Ratings (All Models)
DRIVE
GATES
1
2
3
4
5
6
Model Selection Table
Deliver MOSFET/IGBT gate power and timing signals simultaneously
Directly drive high-side MOSFETs/IGBTs on busses up to 1200V
Excellent risetime, overshoot, and peak current characteristics
>8 mm minimum creepage and clearance from drive to gates
Low profile planar package
Available in through-hole and surface mount packages
(contact engineering)
0.725 [18.42] MAX
0.450 [11.43] MAX
0.150 [3.81] MIN
0.025 [0.64] SQR
(6 PLS)
0.650
0.100 [2.54]
(3 PLS)
0.350 [8.89]
1
[20.57]
[16.51]
0.810 MAX
MGDT
3
4
5
6
2
www.hirelsystems.com
sales@hirelsystems.com
engineering@hirelsystems.com
Hi-Rel Systems, Inc.
11100 Wayzata Boulevard
Suite 501
Minnetonka, MN 55305
Phone: 952-544-1344
Fax: 952-544-1345
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0805A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGF0846G | S BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MGF0904A-01 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| MGF0905A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| MGF0906A-01 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MGDT100100-SM | 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1 : 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售 变压器类型:栅极驱动 电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1：1：1 标准包装:1 |
| MGDT100125 | 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售 变压器类型:栅极驱动 电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1:1.25:1.25 安装类型:通孔 大小/尺寸:0.810" 长 x 0.725" 宽（20.57mm x 18.42mm） 高度 - 安装（最大值）:0.450"（11.43mm） 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:64 |
| MGDT100125LF | 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售 变压器类型:栅极驱动 电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1:1.25:1.25 安装类型:通孔 大小/尺寸:0.810" 长 x 0.725" 宽（20.57mm x 18.42mm） 高度 - 安装（最大值）:0.450"（11.43mm） 工作温度:-55°C ~ 125°C 标准包装:64 |
| MGDT100125-SM | 功能描述:PLANAR GATE-DRIVE XFMR, 1 : 1.25 制造商:vishay dale 系列:- 零件状态:在售 变压器类型:栅极驱动 电感:240μH E.T.:- 匝数比 - 初级:次级:1：1：1 标准包装:1 |
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