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参数资料
| 型号： | MGF4917C-01 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | MGF4917C-01 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC4414D-03 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MGSF3441V | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3442X | 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MGSF3454VT1 | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MGSF3454V | 4.2 A, 30 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGF4917D | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF49180 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:TAPE CARRIER SUPER LOW NOISE INGAAS HEMT |
| MGF4918E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
| MGF4919E | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW MOISE InGaAs HEMT |
| MGF4919G | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT |
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