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参数资料
| 型号： | MGFC44V3436 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | MGFC44V3436 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFC44V3436
3.4 - 3.6GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
S parameters
( Ta=25deg.C , VDS=10(V),IDS=6.4(A) )
S-Parameter (TYP.)
f
S11
S21
S12
S22
(GHz)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
3.30
0.47
-95
4.06
-161
0.07
137
0.29
131
3.35
0.44
-113
4.12
-176
0.07
122
0.27
118
3.40
0.40
-134
4.20
168
0.07
105
0.24
103
3.45
0.35
-158
4.28
152
0.07
89
0.20
83
3.50
0.29
171
4.31
134
0.08
73
0.18
61
3.55
0.26
130
4.27
115
0.07
54
0.14
21
3.60
0.27
82
4.13
96
0.07
32
0.17
-24
3.65
0.34
40
3.92
76
0.07
14
0.24
-59
3.70
0.43
8
3.57
56
0.06
-8
0.30
-82
Jul-'05
28
30
32
34
36
38
40
16
18
20
22
24
26
28
INP UT P O W E R P in (dB m S .C .L.)
O
U
T
P
U
T
P
O
W
E
R
P
o
(d
B
m
S
.C
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
IM
3
(d
B
c
I M 3
P o ut
V D S = 10 V
ID S = 6 .4 A
f1 = 3 .60 G H z
f2 = 3 .61 G H z
P o ,IM 3 vs . P in
P 1dB ,G LP v s. f
40
41
42
43
44
45
46
3.4
3.5
3.6
3.7
F R E Q UE NC Y f (G Hz )
O
U
T
P
U
T
P
O
W
E
R
P
1d
B
(d
B
11
12
13
14
15
16
17
L
IN
E
A
R
G
A
IN
G
L
P
(
P 1d B
G L P
VD S = 10V
ID S = 6.4A
P o,P .A.E . v s. f
20
25
30
35
40
45
18
23
28
33
38
INP UT P O W E R P in (dB m )
O
U
T
P
U
T
P
O
W
E
R
P
o
(d
B
0
20
40
60
80
100
P
O
W
E
R
A
DD
E
D
E
FF
IC
IE
NC
Y
P
.A
.
P o ut
P .A .E
.
VD S = 10V
ID S = 6.4A
f= 3.5G Hz
MITSUBISHI
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