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参数资料
| 型号： | MGFL45V1920A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-51, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | MGFL45V1920A |
< L/S band internally matched power GaAs FET >
MGFL45V1920A
1.9 – 2.0 GHz BAND / 32W
Publication Date : Apr., 2011
2
MGFL45V1920A TYPICAL CHARACTERISTICS
MGFL45V1920A S-parameters ( Ta=25deg.C , VDS=10(V),IDS=6.5(A) )
Po , P.A.E. vs. Pin
20
25
30
35
40
45
50
10
15
20
25
30
35
Input power Pin (dBm)
O
u
tput
pow
e
rP
o
(
d
B
m
)
10
20
30
40
50
60
70
Po
w
e
ra
d
e
d
e
ffi
c
ie
n
c
y
P.
A
.E.
(
%
)
VDS=10V
IDS=6.5A
f=1.9GHz
Po
P.A.E.
P1dB,GLP vs. Freq.
41
42
43
44
45
46
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
Frequency (GHz)
O
u
tpu
tpo
w
e
rP
1
d
B
(d
B
m
)
12
13
14
15
16
17
Line
a
rpow
e
rga
in
G
L
P
(
d
B
)
VDS=10V
IDS=6.5A
P1dB
GLP
Po,IM3 vs. Pin
28
30
32
34
36
38
40
15
17
19
21
23
25
27
29
Input power Pin (dBm S.C.L.)
O
utp
ut
p
o
w
e
rP
o
(dB
m
S
.C
.L
.)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
IM
3
(
d
B
c)
VDS=10V
IDS=6.5A
f1=1.900GHz
f2=1.905GHz
Po
IM3
S-Parameter (TYP.)
fS11
S21
S12
S22
(GHz)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
1.70
0.55
53
4.18
-151
0.03
-176
0.49
66
1.75
0.41
27
4.76
-170
0.03
161
0.44
51
1.80
0.29
-16
5.21
167
0.03
135
0.37
33
1.85
0.28
-78
5.43
145
0.04
108
0.28
11
1.90
0.38
-124
5.34
122
0.04
84
0.20
-21
1.95
0.49
-152
5.07
102
0.04
59
0.16
-61
2.00
0.57
-170
4.74
84
0.04
41
0.16
-98
2.05
0.62
178
4.48
70
0.03
25
0.19
-120
2.10
0.65
166
4.23
54
0.03
7
0.23
-136
2.15
0.66
156
4.05
40
0.03
-10
0.26
-147
2.20
0.66
146
3.95
26
0.03
-24
0.30
-154
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