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参数资料
| 型号： | MGSF1N02LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 125pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MGSF1N02LT1OSCT |
MGSF1N02L, MVGSF1N02L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.2
0.18
150 ° C
0.14
0.13
150 ° C
0.12
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
25 ° C
-55 ° C
0.11
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
V GS = 10 V
25 ° C
-55 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1.6
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
10
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.5
1.4
V GS = 10 V
I D = 2 A
8
V DS = 16 V
T J = 25 ° C
1.3
1.2
1.1
1
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
6
4
0.9
0.8
0.7
2
I D = 2.0 A
0.6
- 55
-5
45
95
145
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
1000
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
T J = 25 ° C
C iss
100
0.01
C oss
C rss
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
0
5
10
15
20
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (Volts)
Figure 8. Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGSF1N03LT1 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| MGSF2N02ELT1G | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23 |
| MH805 | COPYHOLDER 36" INTERNAL 12"X10" |
| MIC2807-OOYML TR | IC PWR MANAGEMENT RF PA 17-MLF |
| MIC2808-NNYFT TR | IC RF PA SOLUTION 600MA 16-FTMLF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGSF1N02LT1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| MGSF1N02LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 |
| MGSF1N02LT1G | 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MGSF1N02LT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
| MGSF1N02LT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 |
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