- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21890 > MGSF1N02LT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MGSF1N02LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 125pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MGSF1N02LT1GOSDKR |
MGSF1N02L, MVGSF1N02L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 10 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 1.2 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 1.0 Adc)
V GS(th)
r DS(on)
1.0
?
?
1.7
0.075
0.115
2.4
0.090
0.130
Vdc
W
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DG = 5.0 Vdc)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
125
120
45
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
2.5
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 15 Vdc, I D = 1.0 Adc,
R L = 50 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
1.0
16
8.0
?
?
?
Gate Charge (See Figure 6)
Q T
?
6000
?
pC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Current
Pulsed Current
Forward Voltage (Note 2)
I S
I SM
V SD
?
?
?
?
?
0.8
0.6
0.75
?
A
?
V
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
2. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.5
3
2
1.5
V DS = 10 V
- 55 ° C
2.5
2
4V
3.5 V
3.25 V
V GS = 3.0 V
1.5
1
T J = 150 ° C
1
2.75 V
0.5
25 ° C
0.5
2.5 V
2.25 V
0
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
http://onsemi.com
2
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CLA1B-MKW-XD0F0A43 | LED 3.2X2.8 WARM WHITE 4PLCC |
| DMS-40PC-2-RS-C | DPM LED 20VDC 4.5DIGIT RED |
| CLA1B-MKW-XD0F0A33 | LED 3.2X2.8 WARM WHITE 4PLCC |
| CLA1B-WKW-XE0F0513 | LED 3.2X2.8 COOL WHITE 4PLCC |
| CLA1B-WKW-XD0F0503 | LED 3.2X2.8 COOL WHITE 4PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGSF1N02LT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
| MGSF1N02LT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 |
| MGSF1N03L | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single Na??Channel, SOTa??23 |
| MGSF1N03LT1 | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MGSF1N03LT1G | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。