- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录477 > MGSF1N03LT1 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MGSF1N03LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MGSF1N03LT1OSCT |
MGSF1N03L, MVGSF1N03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 10 m Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 30 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 1.2 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 1.0 Adc)
V GS(th)
r DS(on)
1.0
?
?
1.7
0.08
0.125
2.4
0.10
0.145
Vdc
W
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DS = 5.0 Vdc)
(V DG = 5.0 Vdc)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
140
100
40
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
2.5
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 15 Vdc, I D = 1.0 Adc,
R L = 50 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
1.0
16
8.0
?
?
?
Gate Charge (See Figure 6)
Q T
?
6000
?
pC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Current
Pulsed Current
Forward Voltage (Note 5)
I S
I SM
V SD
?
?
?
?
?
0.8
0.6
0.75
?
A
V
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.5
V DS = 10 V
2.5
V GS = 3.75 V
3.5 V
2
2
1.5
1.5
3.25 V
1
- 55 ° C
T J = 150 ° C
1
3.0 V
0.5
25 ° C
0.5
2.75 V
2.5 V
0
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0
2
4
6
8
10
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
http://onsemi.com
2
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On ? Region Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGSF2N02ELT1G | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23 |
| MH805 | COPYHOLDER 36" INTERNAL 12"X10" |
| MIC2807-OOYML TR | IC PWR MANAGEMENT RF PA 17-MLF |
| MIC2808-NNYFT TR | IC RF PA SOLUTION 600MA 16-FTMLF |
| MIC94030BM4 TR | MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MGSF1N03LT1G | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MGSF1N03LT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MGSF Series N-Channel 30 V 80 mOhm 0.73 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
| MGSF1N03LT3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MGSF1N03LT3G | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MGSF1P02 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Power MOSFET P-Channel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。