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参数资料
| 型号： | MGSF2N02ELT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MGSF2N02ELT1GOSDKR |
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL
TYPICAL CHARACTERISTICS
8
T J = 25 ° C
5
V DS w 10 V
6
V GS = 7 V
V GS = 5 V
V GS = 2.6 V
V GS = 2.2 V
V GS = 2.0 V
4
3
4
2
V GS = 3 V
V GS = 1.8 V
V GS = 1.6 V
2
1
T J = 100 ° C
T J = 55 ° C
V GS = 1.2 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.12
0.10
T J = 25 ° C
I D = 3.6 A
0.3
0.2
T J = 25 ° C
0.08
0.06
0.04
0.1
V GS = 2.5 V
0.02
0
2
4
6
8
0
4
5
6
7
8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source Voltage
? I D , DRAIN CURRENTS (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Gate Voltage
1.8
10000
1.5
I D = 3.6 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
0.9
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage
Current vs. Voltage
http://onsemi.com
3
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参数描述 |
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