参数资料
型号: MGSF2N02ELT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
产品目录绘图: MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 5V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
5
300
T J = 25 ° C
4
QT
250
200
3
150
Ciss
2
Q1
Q2
100
Coss
50
Crss
1
I D = 3.6 A
T J = 25 ° C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
1
2
3
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE, (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DD = 16 V
I D = 2.8 A
V GS = 4.5 V
t f
t r
t d(off)
t d(on)
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
0.3
1
1
10
100
0
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation vs.
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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