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参数资料
| 型号： | MI3060C-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 144K |
| 描述： | DIODE SCHOT 30A 60V DUAL TO262AA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 720mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 350µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
New Product
M3060C, MF3060C & MI3060C
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89009
Revision: 19-May-08
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.0.1
0.3
0.5
0.7
8
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10 20 30 40 6050 90 100
80
70
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TJ
= 25 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 150 °C
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
Figure 7. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
M(I)3060C
Junction to Case
0.1
1
10
100
0.01 0.1 101 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
MF3060C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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