参数资料
型号: MIC4123YME TR
厂商: Micrel Inc
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文件大小: 0K
描述: IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 8-SOIC
标准包装: 2,500
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 44ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MIC4123YMETR
MIC4123YMETR-ND
MIC4123/4124/4125
10 -8
10 -9
C ROS S OVER
E NERGY L OS S
Micrel, Inc.
10 -10
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
V IN
NOTE: THE VALUES ON THIS GRAPH REPRESENT THE LOSS SEEN BY BOTH
DRIVERS IN A PACKAGE DURING ONE COMPLETE CYCLE. FOR A SINGLE
DRIVER DIVIDE THE STATED VALUES BY 2. FOR A SINGLE TRANSITION OF A
SINGLE DRIVER, DIVIDE THE STATED VALUE BY 4.
Figure 2.
May 2005
10
M9999-052405
相关PDF资料
PDF描述
MIC5020YM TR IC DRIVER MOSF LO SIDE HS 8-SOIC
3266X-1-103 TRIMMER 10K OHM 0.25W TH
R6011825XXYA RECTIFIER 1800V 250A DO-9
B32524Q3225K CAP FILM 2.2UF 250VDC RADIAL
195D106X9015X4T CAP TANT 10UF 15V 10% 2910
相关代理商/技术参数
参数描述
MIC4123YML 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述:
MIC4123YML TR 功能描述:功率驱动器IC Improved 3A Dual High Speed MOSFET Driver (Inverting) (Pb-Free) RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MIC4124 制造商:MICREL 制造商全称:Micrel Semiconductor 功能描述:Dual 3A-Peak Low-Side MOSFET Driver
MIC4124YME 功能描述:功率驱动器IC Improved 3A Dual High Speed MOSFET Driver (Non-Inverting) (Pb-Free) RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MIC4124YME TR 功能描述:功率驱动器IC Improved 3A Dual High Speed MOSFET Driver (Non-Inverting) (Pb-Free) RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube