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参数资料
| 型号： | MIC5011BM TR |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSF HI/LOW SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25µs |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 32 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | MIC5011BMTR MIC5011BMTR-ND |
MIC5011
Absolute Maximum Ratings (Note 1, 2)
Supply Voltage (V + ), Pin 1 –0.5V to 36V
Input Voltage, Pin 2 –10V to V +
Source Voltage, Pin 3 –10V to V +
Current into Pin 3 50mA
Gate Voltage, Pin 5 –1V to 50V
Junction Temperature 150°C
Pin Description (Refer to Typical Applications )
Micrel, Inc.
Operating Ratings (Notes 1, 2)
Power Dissipation 1.25W
θ JA (Plastic DIP) 100°C/W
θ JA (SOIC) 170°C/W
Ambient Temperature: B version –40°C to +85°C
Storage Temperature –65°C to +150°C
Lead Temperature 260°C
(Soldering, 10 seconds)
Supply Voltage (V + ), Pin 1 4.75V to 32V high side
4.75V to 15V low side
Gnd
Gate
Pin Number
1
2
3
4
5
6, 7, 8
Pin Con?guration
Pin Name
V +
Input
Source
Ground
Gate
C2, Com, C1
Pin Function
Supply; must be decoupled to isolate from large transients caused by the
power FET drain. 10μF is recommended close to pins 1 and 4.
Turns on power MOSFET when taken above threshold (3.5V typical). Re-
quires <1 μA to switch.
Connects to source lead of power FET and is the return for the gate clamp
zener. Can safely swing to –10V when turning off inductive loads.
Drives and clamps the gate of the power FET. Will be clamped to approxi-
mately –0.7V by an internal diode when turning off inductive loads.
Optional 1nF capacitors reduce gate turn-on time; C2 has dominant effect.
MIC5011
1
V+ C1 8
2
Input Com 7
3
Source C2 6
4
5
MIC5011
2
July 2005
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2151SPBF | IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC |
| GCB09DHFD | CONN CARDEDGE 18POS .050" SMD |
| MLK1005S1N8S | INDUCTOR MULTILAYER 1.8NH 0402 |
| R1S12-243.3/P | CONV DC/DC 1W 24VIN 3.3VOUT |
| IR22381QPBF | IC IGBT DRIVER 3PHASE 64-MQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIC5011BN | 功能描述:IC DRIVER MOSF HI/LOW SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| MIC5011YM | 功能描述:功率驱动器IC High Side MOSFET Predriver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC5011YM TR | 功能描述:功率驱动器IC High Side MOSFET Predriver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC5011YMTR | 制造商:Micrel Inc 功能描述: |
| MIC5011YN | 功能描述:功率驱动器IC High Side MOSFET Predriver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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