型号: | MJ14001 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS |
中文描述: | 60 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
封装: | CASE 197A-05, TO-3, TO-204, 2 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 241K |
代理商: | MJ14001 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJ14002 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS |
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MJ14002 | MJ14002 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJ14001_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High?Current Complementary Silicon Power Transistors |
MJ14001G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60A 60V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ14002 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ14002G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJ14002G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |