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参数资料
| 型号： | MJ15001 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| 中文描述： | 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | MJ15001 |
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
High Safe Operating Area (100% Tested) —
200 W @ 40 V
50 W @ 100 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain —
hFE = 25 (Min) @ IC = 4 Adc
1/16
″
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ15001/D
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
140 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ15002 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
| MJ21193 | 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts |
| MJ21193 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJ21194 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJ2194 | 16 ampere complementary silicon power transistors 250 volts 250 watts |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJ15001_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors |
| MJ15001G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15002 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15002G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJ15003 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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