- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95946 > MJD117 (STMICROELECTRONICS) 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD117 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | MJD117 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
6.25
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector Cut-off
Current (IE = 0)
VCB = 100 V
VCB = 80 V
0.02
0.01
mA
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 50 V
0.02
mA
ICEX
Collector Cut-off
Current
(VBE = -1.5V)
VCE = 80 V
Tc = 125
oC
0.01
0.5
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
2
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 30 mA
100
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 2 A
IB = 8 mA
IC = 4 A
IB = 40 mA
2
3
V
VBE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
IC = 4 A
IB = 40 mA
4
V
VBE(on)
Base-Emitter On
Voltage
IC = 2 A
VCE = 3 V
2.8
V
hFE
DC Current Gain
IC = 0.5 A
VCE = 3 V
IC = 2 A
VCE = 3 V
IC = 4 A
VCE = 3 V
500
1000
200
12000
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe Operating Areas
Derating Curve
MJD112/MJD117
2/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD112 | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-T1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117I | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD117-001 | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117-001G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail |
| MJD117-1G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD117G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。