- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98015 > MJD127T4 (STMICROELECTRONICS) 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJD127T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | MJD127T4 |
April 2009
Doc ID 3541 Rev 11
1/12
12
MJD122
MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
■ General purpose linear and switching
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
DPAK
1
3
PNP: R1= 16 K
R2= 60
NPN: R1= 7 K
R2= 70
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Polarity
Package
Packaging
MJD122T4
MJD122
NPN
DPAK
Tape and reel
MJD127T4
MJD127
PNP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD122T4 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD13003-I | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13003 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD13003T4 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD18002D2-1 | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD127T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127TF | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJD127-TP | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJD128 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor |
| MJD128T4 | 功能描述:TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。