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参数资料
| 型号： | MJD122T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | MJD122T4 |
April 2009
Doc ID 3541 Rev 11
1/12
12
MJD122
MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
■ General purpose linear and switching
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
DPAK
1
3
PNP: R1= 16 K
R2= 60
NPN: R1= 7 K
R2= 70
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Polarity
Package
Packaging
MJD122T4
MJD122
NPN
DPAK
Tape and reel
MJD127T4
MJD127
PNP
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