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参数资料
| 型号： | MJD32-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/61页 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | MJD32-1 |
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3–542
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MJD31
MJD32
MJD31C
MJD32C
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
40
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
40
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
3
5
Adc
Base Current
IB
1
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
15
0.12
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation* @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
1.56
0.012
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
8.3
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
R
θJA
80
_C/W
Lead Temperature for Soldering Purposes
TL
260
_C
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJD31,C
MJD32,C
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
3 AMPERES
40 AND 100 VOLTS
15 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0.243
6.172
0.063
1.6
0.1
18
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
0.190
4.826
inches
mm
*
NPN
PNP
*
REV 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MJD32BTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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