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参数资料
| 型号： | MJD32-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 12/61页 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | MJD32-1 |
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MJD31,C MJD32,C
3–543
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
MJD31, MJD32
MJD31C, MJD32C
VCEO(sus)
40
100
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
MJD31, MJD32
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
MJD31C, MJD32C
ICEO
—
50
Adc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VEB = 0)
ICES
—
20
Adc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
1
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 1 Adc, VCE = 4 Vdc)
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc)
hFE
25
10
—
50
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 375 mAdc)
VCE(sat)
—
1.2
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc)
VBE(on)
—
1.8
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
fT
3
—
MHz
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz)
hfe
20
—
—
(1) Pulse Test: Pulse Width
v 300 s, Duty Cycle v 2%.
(2) fT = hfe ftest.
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