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参数资料
| 型号： | MJD32-1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 59/61页 |
| 文件大小： | 394K |
| 代理商： | MJD32-1 |
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2–5
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
4
40
MJE1123
45/100
4
5
75
60
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
80
D44C12
D45C12
40/120
0.2
1
40 typ
30
400/700
MJE13005
6/30
3
0.7
3
4
60
5
100
TIP122 (2)
TIP127 (2)
1k min
3
1.5 typ
4
4(1)
75
250
2N6497
10/75
2.5
1.8
0.8
2.5
5
80
300
2N6498
10/75
2.5
1.8
0.8
2.5
5
80
400/700
BUL45
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
75
450/1000
MJE16002
5 min
5
3
0.3
3
80
450/850
MJE16004
7 min
5
2.7
0.35
3
80
450/1000
MJE18004
14/34
0.3
1.7
0.15
1.0
13
75
550/1200
MJE18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
75
6
80
BD243B
BD244B
15 min
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
100
BD243C
BD244C
15 min
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
TIP41C
TIP42C
15/75
3
0.4 typ
0.15 typ
3
65
250/550
MJE16204
5 min
6
1.5(2)
0.15(2)
1
10
80
400/700
BUL146
14/34
0.5
1.75(3)
0.15(3)
3
14 typ
100
450/1000
MJE18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.13(3)
3
14 typ
100
7
30
2N6288
2N6111
30/150
3
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
50
2N6109
30/150
2.5
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
70
2N6292
2N6107
30/150
2
0.4 typ
0.15 typ
3
4
40
100
BD801
BD802
15 min
3
65
150
BU407
30 min
1.5
0.75
5
10
60
200
BU406
30 min
1.5
0.75
5
10
60
450
BU522B (2)
250 min
2.5
7.5
75
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13005BU | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BD | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AN | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AJ | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AF | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJD32BT4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32BTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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